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HFFクリスタルユニット/ HFFオシレーターで使用されるMEMSテクノロジー

發(fā)布時(shí)間:2021-09-29

    HFFクリスタルユニット/ HFFオシレーターにはMEMS技術(shù)が採用されており、高周波製品が基本波と直接発振することができます。

    ウェーハ全體を薄くする従來(lái)の機械加工とは異なり、フォトリソグラフィーは、チップの強度を維持するために、駆動(dòng)電極(逆段構造)の近くの厚さを減らすだけです。このようにして、100 MHzの高周波水晶発振器は、基準周波數源として中低周波數の成熟した製品を使用する代わりに、基本波から直接開(kāi)始できます。リソグラフィで処理されたHFF発振器は、優(yōu)れた耐衝撃性と低位相ノイズを備えており、光伝送設備、基地局、その他の通信インフラストラクチャの設定に適しています。

    國內企業(yè)はリソグラフィー技術(shù)を打ち破り、小型化と高精度に向けた製品開(kāi)発を推進(jìn)してきました。

    水晶の硬度や物理化學(xué)的性質(zhì)は安定しており、周波數は溫度によってまったく変化せず、これによる內部発振損失も最小限に抑えられており、微細加工に最適です。同時(shí)に、従來(lái)の機械加工消費方式とは異なり、大量消費に便利な改良工程であり、小型化を図りながらその傾向を最小限に抑えることができるため、小型化、低消費電力、高安定性、と高い周波數の利點(diǎn)。

QMEMSテクノロジーを使用した小型製品と、従來(lái)の機械加工および消費のクリスタルフロントエンドプロセスとの違いは次のとおりです。

      1)小型化された製品の切斷プロセスは、一度に1つの音叉結晶ユニットに切斷されるのではなく、最初に數千のチップユニットを収束できる寛大な部品に切斷されます。

      2)音叉ウェーハと電極形成リンクは両面リソグラフィープロセスを採用し、WAFERウェーハ上でリソグラフィー、金屬蒸著(zhù)、レーザー周波數変調などの統合処理を停止し、単一の音叉ユニットのサイズは非常に小さい。


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