MEMS技術(shù)用于HFF晶體單元/HFF振蕩器，使高頻產(chǎn)品能夠直接以基波起振。
    不同于傳統機械加工將晶片整體變薄，光刻加工僅減少驅動(dòng)電極左近的厚度（反向臺構 造），堅持芯片強度。這樣以來(lái)，百MHz 的高頻晶振能夠直接以基波起振，不用以中低頻成熟產(chǎn)品作為基準頻率源。光刻加工的HFF振蕩用具有優(yōu)秀的抗震性以及較低的相位 噪聲，適用于光傳輸安裝、基站等通訊根底設置。

    國產(chǎn)企業(yè)打破光刻技術(shù)，推進(jìn)產(chǎn)品向小型化、高精度趨向展開(kāi)。

    石英晶體硬度及理化性質(zhì)穩定，頻率根本不隨溫度變化，由此產(chǎn)生的內部振蕩損失也最小，十分適宜精細制造。同時(shí)，區別于傳統的機械式加工消費方式，改進(jìn)的制程更便于 批量消費，能夠在保證小型化的同時(shí)把傾向控制在最小限度內，從而使產(chǎn)品具備小型化、低耗電、高穩定、高頻率的優(yōu)勢。
    應用QMEMS技術(shù)的微型化產(chǎn)品與傳統機械加工消費的晶振前端工藝區別為：
      1）微型化產(chǎn)品切割環(huán)節不是一次性切割成為單個(gè)音叉晶體單元， 而是首先切割成能夠匯合上千支晶片單元的大方片；
      2）音叉晶片及電極成型環(huán)節采用雙面光刻工藝，在WAFER片上中止光刻、金屬蒸鍍、激光調頻等集成處置，單個(gè)音叉單元尺寸極小。